Micron не переведёт DRAM на ячейку 4F² и сохранит 6F²

Подробно

Что именно заявила Micron о ячейке 4F²?

Заявление прозвучало 21 октября 2026 года на вебинаре Micron Technology and Product Leadership for the AI Era and Beyond. Основным докладчиком выступил доктор Скотт ДеБур, президент и директор Micron по технологиям и продуктам. По его словам, компания более двух десятилетий исследовала 4F² DRAM и изготовила несколько прототипов, но за всё это время не выбирала эту архитектуру для коммерческого развития из-за повышенных сложности и стоимости.

«Это в некоторой степени миф, что 4F² на самом деле что-то даёт по сравнению с 6F²», - заявил ДеБур.

Формулировку «Micron прекратила работу над 4F²» считать точной нельзя: подтверждён отказ от включения 4F² в коммерческую дорожную карту, но дата закрытия исследований или конкретной программы не названа.

Чем 4F² отличается от 6F² и почему Micron не видит в ней выигрыша?

Обозначения 4F² и 6F² описывают площадь ячейки памяти через минимальный технологический размер F. При одинаковом F номинальная площадь 4F² составляет две трети площади 6F², то есть теоретически меньше примерно на 33,3%. Однако фактическая плотность зависит ещё и от шага конденсаторов, периферийных схем, технологических правил и компоновки.

Именно на это опирается Micron. По оценке компании, плотность битов на пластине определяется прежде всего шагом и размерами конденсаторов, а транзисторную часть под ними можно компоновать как 6F² или 4F². Среди причин отказа компания назвала отсутствие жизнеспособного пути дальнейшего масштабирования и отсутствие гарантированного выигрыша в плотности.

«У масштабирования 4F² есть фундаментальные проблемы», - сказал ДеБур.

Он признал, что 4F² можно изготовить на нескольких более старых технологических узлах, но назвал такой путь более сложным и дорогим. Место 4F² в дальнейшем, по его словам, займёт 3D DRAM. Все эти утверждения - позиция Micron: компания не опубликовала сравнительные площади кристаллов, себестоимость, число масок, выход годных или результаты испытаний своих прототипов.

Какой будет дорожная карта Micron по планарной DRAM и 3D DRAM?

Узел 1γ уже находится в массовом производстве и служит основой ключевых продуктов ближайших 12 месяцев; это первый DRAM-узел Micron с EUV-литографией. Следующий узел 1δ разрабатывается с основным фокусом в Бойсе, штат Айдахо, США. Массовое развёртывание запланировано на вторую половину 2027 года, производство предусмотрено в США и на других предприятиях компании. Для 1δ Micron заявляет прирост плотности битов на уровне середины 20-процентного диапазона, узел оптимизируется под будущие HBM5, Vertical HBM и Vertical Edge Inference Memory.

Узел 1ε уже в разработке и должен использовать соединение пластин (wafer bonding). Для последующих 1ζ и 1η компания исследует High-NA EUV, новые материалы и другие способы продолжить масштабирование планарной DRAM. 3D DRAM показана в дорожной карте между 1ζ и 1η, но рассматривается как параллельное направление. Срок её внедрения Micron выберет позднее с учётом стоимости, сложности, характеристик устройств и коммерческих решений.

Не раскрыты даты для 1ε, 1ζ, 1η и 3D DRAM, а также ёмкость, скорость, энергопотребление, цена, заказчики и дата выпуска будущих кристаллов. Расположение 3D DRAM между 1ζ и 1η названо в выступлении ДеБура, но презентация Micron с этой схемой в открытом доступе не найдена.

Почему другие производители продолжают развивать 4F²?

Позиция Micron расходится с работами конкурентов. На ISSCC 2026 (15-19 февраля) Samsung совместно с Университетом Сонгюнгван представила работоспособный тестовый 16-Гбит 4F² SDRAM 10-нм класса с вертикальными транзисторами, архитектурой Cell-on-Peripheral и гибридным медным соединением пластин. Авторы сообщили о более чем 20-процентном увеличении числа кристаллов с пластины при одинаковых проектных правилах. Это прототип: массовая экономичность и неограниченное масштабирование им не доказаны.

10 октября 2026 года президент CXMT Цао Каньюй на конференции Integrated Chips and Chiplets сообщил, что компания до конца 2026 года намерена представить серверный DDR5 RDIMM с технологиями 4F² и гибридного соединения. Скорость, ёмкость, техпроцесс, объём выпуска и заказчики не раскрыты, независимых тестов нет.

Аналитик Rosenblatt Securities Кевин Кэссиди ещё до вебинара оценил опасения вокруг анонса CXMT как преувеличенные: при предполагаемом 17-нм процессе CXMT против примерно 12-нм у лидеров её 4F²-ячейка, по его расчёту, могла оказаться приблизительно на 34% крупнее конкурентной 6F². Это оценка на основе предположений, а не измерений готового продукта.

Какие риски несёт стратегия Micron?

Автор VLSI.kr Чейз На считает заявление Micron проверяемой ставкой на 3D DRAM. Главный риск, по его мнению, - разрыв дорожной карты: если возможности планарного масштабирования закончатся раньше, чем будет готова 3D DRAM, у компании может возникнуть период без достаточного прироста плотности.

Исторически Micron к 4F² не равнодушна: компания получила патент US6689660B1 на 4F² DRAM с заглублёнными линиями данных и слов (приоритет от 8 июля 1997 года, выдан 10 февраля 2004 года). Решение касается выбора коммерческой архитектуры; сроки полного прекращения исследований 4F² Micron не называла.