СМИ: Samsung доверит TSMC базовый кристалл HBM для Nvidia

Подробно

Что именно сообщила Seoul Economic Daily?

Согласно публикации от 18 октября 2026 года, Nvidia потребовала от трёх крупнейших производителей HBM - Samsung Electronics, SK hynix и Micron - выпускать базовый кристалл NVHBM по 3-нм техпроцессу TSMC, а кристаллы памяти - на DRAM-процессе шестого поколения 1c. Подразделение Samsung Device Solutions, по данным издания, провело внутреннюю оценку и решило принять эти технические требования.

Для стандартных HBM4 и HBM4E Samsung, как пишет газета, сохраняет вертикально интегрированное производство: собственный 4-нм базовый кристалл и кристаллы памяти 1c DRAM. Для заказной HBM других клиентов, в том числе AMD, компания тоже намерена оставить собственную комплексную схему.

Все эти сведения приписаны неназванным отраслевым источникам. Официально не подтверждено ни согласие Samsung, ни то, что Nvidia направила одинаковые требования всем трём производителям.

Будет ли TSMC единственным производителем базового кристалла?

Пока это не ясно. По данным Seoul Economic Daily, Samsung параллельно проверяет, сможет ли она выпускать базовый кристалл NVHBM на своих мощностях, если TSMC не хватит производственных возможностей. В расширенном материале издание называет возможным альтернативным вариантом 2-нм процесс Samsung. Анонимный источник газеты объясняет это так:

«Samsung проверяет, сможет ли она также производить базовый кристалл NVHBM на собственном foundry-производстве. Это страховка на случай, если спрос на NVHBM превысит производственные возможности TSMC».

Какой именно вариант семейства TSMC N3 будет использован, не раскрывается. Серийное производство 3-нм FinFET-процессов N3 TSMC, по данным самой компании, ведёт с 2022 года. Фабрика, на которой может выпускаться заказ, тоже не названа.

Что такое Nvidia NVHBM и чем она отличается от обычной HBM?

Nvidia официально представила NVHBM 26 августа 2026 года как заказную технологию базового кристалла HBM для платформ NVLink Fusion. Главное отличие в том, что контроллер памяти переносится с вычислительного кристалла XPU в базовый кристалл трёхмерного стека HBM. Первым названным пользователем технологии стала Amazon Annapurna Labs.

По сравнению со стандартной HBM4E Nvidia заявляет:

• до 30% больше пропускной способности;
• на 15% меньшее энергопотребление HBM;
• до 25% освобождённой площади вычислительного кристалла XPU.

В техническом блоге компании приводятся и другие показатели площади: сокращение PHY и вспомогательных блоков до 67%, до 30% больше доступной площади основного вычислительного кристалла и до 80% больше используемой площади кремния во всей компоновке. Это разные метрики с разными базами сравнения. Все цифры - заявления разработчика: независимых испытаний готовой NVHBM нет.

Nvidia подчёркивает, что делает единую реализацию для нескольких поставщиков:

«Nvidia создаёт стандартную реализацию NVHBM, доступную от нескольких поставщиков памяти. Это сокращает инженерную работу, необходимую для интеграции и квалификации памяти разных поставщиков».

Нафеа Бшара, вице-президент Annapurna Labs в Amazon, заявил: «NVHBM представляет собой новый архитектурный подход к повышению производительности и эффективности памяти с высокой пропускной способностью. Мы рассчитываем, что это технологическое сотрудничество принесёт пользу будущим проектам инфраструктуры AWS».

Какие производители памяти официально участвуют в NVHBM?

В августовском анонсе Nvidia не назвала ни производителей памяти, ни техпроцесс базового кристалла. 30 сентября 2026 года Micron официально подтвердила совместную с Nvidia работу над NVHBM и назвала её первой в отрасли заказной реализацией HBM4E для будущих GPU и платформ NVLink Fusion. TSMC и техпроцесс базового кристалла Micron в этом документе не упомянула.

Прямых официальных подтверждений участия Samsung и SK hynix в NVHBM в доступных материалах нет.

Почему Samsung может отойти от полного цикла производства HBM?

Samsung долго продвигала модель, при которой проектирование, память, контрактное производство и упаковка остаются внутри компании. 12 февраля 2026 года она начала массовое производство и коммерческие поставки стандартной HBM4 на 1c DRAM и собственном 4-нм базовом кристалле. Подтверждённые характеристики: стабильная скорость 11,7 Гбит/с на контакт с возможностью повышения до 13 Гбит/с, до 3,3 ТБ/с на стек, 12 слоёв и ёмкость 24-36 ГБ, в перспективе 16 слоёв и до 48 ГБ. Сан Джун Хван, исполнительный вице-президент и руководитель разработки памяти Samsung Electronics, тогда заявил: «Вместо традиционного пути с использованием уже проверенных конструкций Samsung сделала шаг вперёд и применила в HBM4 самые передовые узлы, включая 1c DRAM и 4-нм логический процесс». 5 августа 2026 года компания сообщила, что с мая поставляет глобальным заказчикам образцы HBM4E.

Конкурент Samsung, SK hynix, уже работает по другой схеме. 23 апреля 2026 года компания официально объявила, что использует передовые логические процессы TSMC для базовых кристаллов начиная с HBM4. «Мы укрепим стратегическое сотрудничество, в том числе начнём применять передовые логические процессы TSMC для базового кристалла начиная с HBM4, и предложим широкий набор заказных решений», - заявил директор по разработке SK hynix Ан Хён.

По оценке TrendForce, перенос контроллера в базовый кристалл повышает роль этого кристалла и подталкивает Micron и Samsung к внешнему контрактному производству. При этом 9 октября издание описывало для Samsung двухканальную схему: базовые кристаллы Samsung Foundry или TSMC в зависимости от требований заказчика, а не единый 3-нм вариант.

Насколько можно доверять заявленным преимуществам NVHBM?

Нил Шах, аналитик Counterpoint Research, считает перенос контроллера в базовый кристалл реальным архитектурным изменением. Но, по его мнению, у Nvidia есть и коммерческая цель - получить контроль над ещё одним уровнем платформы. Шах обращает внимание, что приросты пропускной способности, площади и производительности Nvidia сравнивает с HBM4E, которая на момент его оценки ещё не поставлялась, причём исходный образец для сравнения не раскрыт. Напрямую по числу контактов, по его словам, можно проверить прежде всего заявление о сокращении PHY.

Когда начнётся производство Samsung NVHBM?

Даты не названы. Неизвестны сроки tape-out, выпуска образцов, квалификации, массового производства и коммерческих поставок Samsung NVHBM. Также не раскрыты ёмкость стека, число слоёв, скорость на контакт, абсолютная пропускная способность, объём заказа, цена и финансовые условия. Неизвестно и то, в каких конкретно ускорителях будет применяться такая память.