Samsung показала SSD на 245,76 ТБ и NAND V10 на 400+ слоёв

Подробно

Что Samsung показала на GMIF2026 и когда это было?

Форум GMIF2026 прошёл 22-23 сентября 2026 года в Шэньчжэне. Его организовали Shenzhen Memory Industry Association (SMIA) и Школа интегральных схем Пекинского университета, тема форума - «AI-хранилища, движущие будущее». По данным организаторов, на форум зарегистрировались более 3000 профессиональных участников.

Samsung выступила на основном форуме 23 сентября в отеле Renaissance Shenzhen Bay Hotel. Доклад «Революция памяти: создание основы для агентного ИИ» прочитал Кевин Юн (Kevin Yoon). В пресс-релизе SMIA он назван корпоративным вице-президентом Samsung Electronics и CTO Samsung Memory China, на сайте GMIF - вице-президентом Samsung Electronics и CTO подразделения памяти.

Первые публикации о докладе, в том числе материал Sammy Fans, вышли 14-15 октября, то есть примерно через три недели после выступления. Отдельного пресс-релиза Samsung именно о GMIF2026 редакция не нашла. Технические данные частично подтверждаются более ранними официальными материалами компании.

На форуме Samsung получила награду Outstanding AI Memory & Storage Industry Leadership Award. Её присудили организаторы форума, поэтому независимой технической экспертизой она не является.

Какие характеристики у SSD Samsung BM1773 на 245,76 ТБ?

BM1773 - корпоративный SSD с интерфейсом PCIe 5.0 на памяти QLC V-NAND девятого поколения V9Q с кристаллами по 2 Тбит. Накопитель предназначен для плотного хранения данных в дата-центрах и для роли ёмкого кэширующего слоя для объектных хранилищ и «холодного» KV-кэша ИИ-моделей.

• максимальная пользовательская ёмкость - 245,76 ТБ в серверном форм-факторе E3.S;
• последовательная запись - до 4,5 ГБ/с;
• случайная запись - до 50 000 IOPS;
• 16-канальная архитектура PCIe 5.0;
• выносливость - 0,6 DWPD (полных перезаписей в день).

Samsung называет BM1773 первым в мире продуктом ёмкостью до 245,76 ТБ в форм-факторе E3.S. В релизе SMIA указан диапазон от 16 до 256 ТБ, а сам накопитель назван «самым маленьким в мире SSD на 256 ТБ». Размеров корпуса или независимого сравнения, которые подтверждали бы это заявление, нет.

По словам Samsung, общий ресурс записи BM1773 вдвое выше, чем у предыдущего поколения её QLC-накопителей. Технология Die Failure Recovery при отказе отдельного кристалла должна сохранять работу SSD, а не переводить весь накопитель в режим только чтения. Предшественник BM1743, представленный в июле 2024 года, предлагал до 61,44 ТБ и потенциальную конфигурацию на 122,88 ТБ.

Свой материал о BM1773 Samsung опубликовала 17 сентября 2026 года, ещё до GMIF. Компания не раскрыла скорости чтения, энергопотребление, гарантийный срок, полный список ёмкостей, дату массового производства и заказчиков.

Чем отличается PM1763 на PCIe 6.0 и когда он выходит?

На GMIF Samsung представила PM1763 и BM1773 как две серверные линейки для общего уровня хранения KV-кэша. Он должен разгружать более дорогую и ограниченную по объёму память ускорителей.

«С этими двумя SSD мы будем развивать и рынок производительности, и рынок ёмкости», - сказал Кевин Юн.

PM1763 построен на TLC V-NAND девятого поколения, работает по PCIe Gen6 с новым 4-нм контроллером Samsung и оптимизирован для серверов с жидкостным охлаждением Direct-to-Chip. По официальному релизу, версия на 16 ТБ читает данные до 28 400 МБ/с и записывает до 21 900 МБ/с. Это более чем вдвое быстрее PM1753, а 40-гигабайтная модель передаётся примерно за 1,4 секунды. На продуктовой странице скорость записи указана ниже - до 21 000 МБ/с. Там же заявлены поддержка NVMe 2.1 и OCP 2.6, до 1,8 раза более высокая энергоэффективность, постквантовая криптография, SPDM 1.4, CNSA 2.0 и TDISP.

Самое заметное расхождение касается сроков. Samsung официально объявила о массовом производстве PM1763 8 июля 2026 года. Тогда речь шла о версиях на 4, 8 и 16 ТБ.

«PM1763 успешно прошёл валидацию для платформ ИИ следующего поколения», - заявил тогда Чан Сок Чхве (Jangseok Choi), вице-президент и глава планирования продуктов памяти Samsung Electronics.

В октябрьском релизе SMIA при этом сказано, что образцы PM1763 поступят в IV квартале 2026 года. Относится ли это к китайским заказчикам, отдельным форм-факторам или новым конфигурациям, установить не удалось. Сейчас продуктовая страница указывает ёмкости от 4 до 64 ТБ и форм-факторы E1.S, E3.S и U.2, причём для U.2 заявлен только PCIe Gen5. Даты поставок старших конфигураций не объявлены.

Сколько слоёв у Samsung V10 BV-NAND и что это даёт?

V10 BV-NAND - десятое поколение V-NAND Samsung с архитектурой Bonding V-NAND и более чем 400 слоями (линиями word line). Массив ячеек и периферийные схемы изготавливаются на разных пластинах, которые затем соединяются. Для формирования структуры применяются трёхэтапная технология 3-stack HARC Merge и wafer bonding.

«V10 - новейшая 3D NAND флеш-память Samsung, разработанная для растущего спроса на производительные, ёмкие и энергоэффективные накопители», - говорится в комментарии Джиён Шин (Jiyeon Shin) из команды планирования продуктов Samsung Electronics.

По сравнению с V9 Samsung заявляет:

• плотность битов выше более чем на 58%;
• скорость ввода-вывода свыше 4,8 Гбит/с (прирост более 33%);
• энергопотребление ниже более чем на 25%;
• время программирования лучше на 45%.

Компания связывает V10 с будущими SSD на 128 ТБ и накопителями PCIe Gen7. Точное число слоёв, ёмкость кристалла и дата массового производства не раскрыты. Для сравнения: первую 3D V-NAND, 128-гигабитную память с 24 слоями, Samsung запустила в массовое производство в августе 2013 года.

Число слоёв ещё не означает лидерство по плотности. Как отмечает автор Tom's Hardware Антон Шилов, 332-слойная BiCS10 TLC от Kioxia и Sandisk заявлена с плотностью более 29 Гбит/мм², у Samsung V10 - около 28 Гбит/мм².

Как устроена zNAND-O и когда она выйдет?

zNAND-O - находящаяся в разработке архитектура высокопроизводительной NAND для локального ИИ. Samsung разрабатывает варианты с четырьмя и восемью слоями V-NAND, вертикально соединёнными через TSV. По материалам GMIF, zNAND-O использует ячейки SLC, размещается в одном корпусе с процессором (MPU) и связана с ним через интерфейс UCIe.

Samsung заявляет для zNAND-O в 10 раз большую плотность битов, чем у DRAM, а также в 7 раз большие пропускную способность и энергоэффективность чтения по сравнению с обычной NAND. В официальной инфографике указаны задержка чтения менее 3 мкс и пропускная способность 200-400 ГБ/с.

По данным Samsung, в моделировании на модели Moonshot AI Kimi K2-1T система с zNAND-O, оптимизированная под NPU, при той же производительности снизила стоимость памяти до четверти и вместила почти вдвое более крупную модель. Полную методику и конфигурацию оборудования компания не опубликовала.

«Мы считаем, что именно в этом ключевая ценность Z-NAND для клиентов», - сказал Кевин Юн.

Дата выпуска, техпроцесс, ёмкости, партнёры по процессорам и цена zNAND-O не раскрыты.

Когда начнутся продажи и сколько стоят новинки Samsung?

Цены PM1763, BM1773, V10 BV-NAND и zNAND-O не объявлены. Для BM1773, V10 и zNAND-O не названы и даты начала продаж. Корпоративные SSD обычно продаются по контрактным ценам, которые зависят от объёма заказа и конфигурации. Из всех показанных продуктов в массовом производстве официально находится только PM1763.

Подтверждены ли характеристики независимыми тестами?

Нет. Все числовые преимущества основаны на заявлениях Samsung и организатора GMIF. Главный аналитик и президент StorageReview Брайан Билер (Brian Beeler) относит PM1763 к ещё не протестированным продуктам. Лучший Gen5 SSD в тестах издания показал 14 235,9 МБ/с против заявленных для PM1763 28 400 МБ/с, а устойчивую производительность новинки ещё предстоит проверить. По его словам, 1,4 секунды на перенос 40-гигабайтной модели - не результат теста, а расчёт из максимальной последовательной скорости.

StorageReview также напоминает, что BM1773 - не самый ёмкий из показанных SSD: DapuStor демонстрировала QLC SSD на 512 ТБ. Самый ёмкий накопитель, который издание действительно протестировало, - Micron 6600 ION на 245,76 ТБ. Независимых тестов BM1773, V10 BV-NAND и zNAND-O пока нет.