Акции Samsung и SK hynix упали после заявления CXMT о 4F²

Подробно

Что именно заявила CXMT о памяти 4F²?

Цао Каньюй, президент CXMT, выступил 10 октября на четвертой Integrated Circuit and Chiplet Conference, которая проходила в Шанхае 9-10 октября 2026 года. По его словам, компания продвинулась в разработке архитектуры DRAM 4F² и в качестве первого продукта на ней выбрала серверные модули DDR5 RDIMM. Представитель CXMT подтвердил эти слова в разговоре с Bloomberg.

CXMT ожидает до конца года представить новое поколение DDR5 RDIMM, использующее архитектуру 4F², - заявил Цао Каньюй.

Китайское издание Yicai передает его слова формулировкой «推出产品», то есть «представить продукт», а не «начать массовое производство». Сообщения о гарантированном старте серийного выпуска в 2026 году - более сильная интерпретация, чем само заявление. Отдельного пресс-релиза о продукте на сайтах CXMT не нашлось, а Bloomberg называет заявление о прорыве неподтвержденным.

Первым продуктом станут именно регистровые модули DDR5 RDIMM для серверов. Это не мобильная LPDDR и не HBM для ИИ-ускорителей. В комментарии Securities Daily представитель CXMT сказал, что этим выбором компания «напрямую берется за чрезвычайно высокие технологические и инженерные барьеры серверной памяти».

Цао Каньюй также сообщил, что у CXMT опубликовано более 300 семейств патентов, связанных с архитектурой 4F². Независимой проверки этой цифры нет.

Чем 4F² отличается от нынешней DRAM 6F²?

В распространенной сейчас архитектуре 6F² ячейка памяти занимает площадь 6 × F², где F - минимальный размер элемента, который задает технология. В архитектуре 4F² ячейка имеет размер 2F × 2F, то есть 4 × F². При одинаковом F площадь ячейки теоретически уменьшается на 33,3%, а на той же площади помещается на 50% больше ячеек. Аналитик Morningstar дает более осторожную оценку реального прироста плотности у продукта CXMT - около 30%, и то при условии успешной коммерциализации. Фактическую плотность CXMT не раскрыла.

Ключевой элемент разработки, по объяснению компании, - собственный вертикальный транзистор с окружающим затвором VSG (Vertical Surrounding Gate). Вертикальный канал должен усилить управление затвором, а это уменьшит ток утечки и короткоканальные эффекты.

Второе решение - раздельное производство. Массив ячеек DRAM и периферийную логику изготавливают на разных пластинах, а затем соединяют гибридным бондингом. Так можно отдельно оптимизировать плотность массива и характеристики логики.

Какие характеристики у CXMT DDR5 RDIMM на 4F²?

Почти никаких данных нет. CXMT не назвала:

• емкость модуля и кристалла, плотность кристалла;
• скорость передачи данных, энергопотребление, техпроцесс;
• цену, регион и точную дату начала продаж;
• выход годных, объем выпуска, себестоимость и заказчиков.

Tom's Hardware отмечает, что ни одна внешняя организация заявленный продукт не тестировала. Для серверных модулей это особенно важно: им нужна круглосуточная работа, устойчивость к электрическим воздействиям, сотни проверок совместимости с процессорами и материнскими платами и надежная передача сигнала. Поэтому сам анонс еще не доказывает, что коммерческий серверный продукт готов.

До этого CXMT показывала только исследовательские результаты. На конференции IEEE IEDM в декабре 2023 года ее исследователи представили вертикальный GAA-транзистор без переходов для компактной DRAM 4F². Это демонстрация отдельного устройства, а не характеристики нового модуля. 20 сентября 2026 года CXMT объявила о начале массового производства на своей пятой технологической платформе DRAM G5, но предупредила, что масштабных продаж продуктов G5 пока нет. Это отдельная платформа, и ее запуск не подтверждает массового производства модулей на 4F².

Почему упали акции Samsung, SK hynix и Micron?

12 октября на американских торгах акции SanDisk закрылись падением на 5,97%, ADR SK hynix - на 4,02%, Micron Technology - на 3,88%. Индекс Philadelphia Semiconductor снизился на 2,67%. Micron закрылась на уровне $970,54 и после закрытия подешевела еще примерно на 1,9%. SanDisk специализируется на NAND и DRAM не выпускает, так что ее падение - реакция всего сектора, а не оценка конкуренции в DRAM.

Утром 13 октября на Корейской бирже Samsung Electronics теряла 4,99%, SK hynix - 5,98%. К закрытию падение усилилось:

• SK hynix - минус 10,09%, до 1 443 000 вон (≈90,5 тыс. руб.);
• Samsung Electronics - минус 7,39%, до 232 000 вон (≈14,6 тыс. руб.);
• индекс KOSPI - минус 5,46%, до 6 035,35 пункта.

Часто упоминаемые цифры около 5-6% относятся к утренним торгам, а не к итогам дня.

Связывать распродажу только с CXMT нельзя. Reuters указывал и на другие причины: фиксацию прибыли после сильного роста сектора, сомнения в окупаемости расходов на ИИ и слова главы Broadcom Хока Тана, который сравнил инвестиции в ИИ с азартной игрой.

Когда понимаешь, что может появиться конкуренция, все овцы одновременно бегут к выходу, - сказал старший портфельный управляющий Dakota Wealth Роберт Павлик.

Опережает ли CXMT Samsung и SK hynix в 4F²?

Тезис о двухлетнем отрыве CXMT от Samsung сравнивает разные стадии. CXMT говорит о представлении продукта до конца 2026 года, а Samsung, по данным СМИ, ставила целью начать массовое производство 4F² в 2028 году. Официального подтверждения этого срока от Samsung нет. Tom's Hardware пишет, что по более поздним корейским сообщениям направление вертикальных транзисторов выделено у Samsung в отдельную платформу D0a-V без твердой даты.

Конкуренты тоже работают над 4F². SK hynix в июне 2025 года на IEEE VLSI представила дорожную карту с переходом к платформе 4F² Vertical Gate и 3D DRAM. Samsung в феврале 2026 года на ISSCC показала исследовательский 16-гигабитный кристалл DRAM 4F² с вертикальными транзисторами и гибридным медным соединением пластин. Компания сообщила, что при тех же проектных нормах с одной пластины получается более чем на 20% больше кристаллов.

Оценки доли CXMT на рынке DRAM расходятся. Bloomberg со ссылкой на Counterpoint пишет о примерно 10% во втором квартале 2026 года против 4% годом ранее. Yicai приводит для того же квартала другую оценку Counterpoint - 7% по выручке. Вероятно, разница в методике или показателях.

Что говорят аналитики о сроках и выходе годных?

Большинство экспертов считают, что анонс еще не означает промышленной зрелости технологии.

Успешное и более раннее внедрение архитектуры 4F² в производство DRAM значительно улучшило бы конкурентные позиции CXMT. Но мы по-прежнему ожидаем существенного разрыва во времени между показом продукта CXMT на 4F² и его коммерциализацией с приемлемым выходом годных, - считает аналитик Morningstar Цзин Цзе Юй.

Если CXMT начнет выпускать продукты на архитектуре 4F² до конца 2026 года, это станет важной вехой. Однако ключевыми будут стабилизация выхода годных при массовом производстве и коммерческий масштаб поставок, - отметил старший аналитик Counterpoint Research Чон Гу Чхве.

Специалист Mizuho по сектору технологий, медиа и телекоммуникаций Джордан Кляйн в записке клиентам призвал не поддаваться панике.

Представление продукта в конце года нельзя напрямую сравнивать с сообщавшейся целью Samsung начать массовое производство в 2028 году. Запуск не доказывает зрелости производства, выхода годных или конкурентоспособности по себестоимости, - написал он.

Главный рыночный стратег Rayliant Global Advisors Филлип Вул напомнил, что речь не идет об HBM, где корейские производители по-прежнему безусловно доминируют. Управляющий директор Union Bancaire Privée Вей-Серн Лин считает, что китайские производители памяти со временем могут повлиять на мировой баланс спроса и предложения, но в ближайшее время им мешают технологические препятствия.

Неназванный представитель южнокорейской полупроводниковой отрасли в разговоре с Seoul Economic Daily подытожил: «Применить новую технологию и наладить стабильное массовое производство - это разные задачи».

Пересчёт в рубли - по официальному курсу ЦБ РФ на 13.10.2026.